| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 60 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 94 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 3.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 27@4.5V|55@10V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 3400@30V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1800 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 7.2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 5.4 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.95 mm |
| Verpackungsbreite | 5 mm |
| Verpackungslänge | 5 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOP Advance |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | No Lead |
