| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 100 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 2.3@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 19.4@4.5V|41@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 41 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 2750@20V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2670 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 12.2 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 7.8 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.85 mm |
| Verpackungsbreite | 3.1 mm |
| Verpackungslänge | 3.1 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SON |
| Lieferantenverpackung | TSON Advance |
| Stiftanzahl | 8 |
