| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | EA |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 100 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±20 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 92 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 10 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 4.5@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 58@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 58 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 4000@50V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2500 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 13 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 9.6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.73 |
| Verpackungsbreite | 5 |
| Verpackungslänge | 5 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Lieferantenverpackung | DSOP EP Advance |
| Stiftanzahl | 8 |
