| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 40 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 59@18V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 57@18V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1969@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 182000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 36 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 43 |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 20.95 mm |
| Verpackungsbreite | 5.02 mm |
| Verpackungslänge | 15.94 mm |
| Leiterplatte geändert | 3 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 3 |
