| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Automotive | Yes |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 85 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 35@12V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 43@12V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1500@100V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 441000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 12 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 31 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 48 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Verpackung | Tube |
| Befestigung | Through Hole |
| Verpackungshöhe | 20.96 |
| Verpackungsbreite | 5.03 |
| Verpackungslänge | 15.9 |
| Leiterplatte geändert | 4 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | TO-247 |
| Stiftanzahl | 4 |
