| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Hex Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 650 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 6 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 62 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 35@12V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 43@12V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1500@100V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 214000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 11 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 28 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 45 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 25 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 4.43 |
| Verpackungsbreite | 9.08 |
| Verpackungslänge | 10.18 |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | TO |
| Lieferantenverpackung | D2PAK |
| Stiftanzahl | 8 |
