| RoHS EU | Compliant |
| Part Status | Active |
| Automotive | Yes |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Single Seven Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 750 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 175 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 53 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 23@12V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 37.8@15V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1414@400V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 349000 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 18.4 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 26.4 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 134 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 13.6 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 175 |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 2.3 mm |
| Verpackungsbreite | 10.38 mm |
| Verpackungslänge | 9.9 mm |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Tab | Tab |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | PDSO-F |
| Stiftanzahl | 9 |
