| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| Automotive | Unknown |
| PPAP | Unknown |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 150 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 183(Typ) |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 17@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 322@20V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 6200@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 723000(Typ) |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Temperaturbereich Lieferant | Industrial |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungsbreite | 60.44 mm |
| Verpackungslänge | 104.95 mm |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Stiftanzahl | 7 |
