| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | SiC |
| Konfiguration | Dual |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 2 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 1200 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 25 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 4 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 498 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 3600 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 2000 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 5.67@20V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 1025@20V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 19500@800V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1786000(Typ) |
| Typische Abfallzeit (ns) | 43 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 68 |
| Typische Abschaltverzögerungszeit (ns) | 168 |
| Typische Einschaltverzögerungszeit (ns) | 76 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -40 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 125 |
| Befestigung | Screw |
| Verpackungslänge | 106.4 |
| Leiterplatte geändert | 7 |
| Stiftanzahl | 7 |
