Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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2SB1495,Q(J
Trans Darlington PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Darlington BJT | PNP | Single | 100 | 100 | 1 | 3 | 8 | 2@1.5mA@1.5A | 2000 | 2000@2A@2V | 1.5@1.5mA@1.5A | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT3S113P(TE12L,F)
Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Toshiba | HF-BJT | NPN | SiGe | Single | 5.3 | 1 | 0.6 | 0.1 | 5V/50mA | 1600 | 200 to 300 | 200@30mA@5V | 1.65 | 36.7 | 7700(Typ) | 1.45 | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK80A08K3(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 40000 | 80 | 4.5@10V | 175@10V | 175 | 8200@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK7A60W,S5VX(J
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 30000 | 7 | 600@10V | 15@10V | 490@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SV286(TPH3,F)
Varactor Diode Single 30V 14.5pF 2-Pin ESC T/R
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Toshiba | Varaktors | Tuner | Single | 30 | 0.01 | 7.8 | 2V/20V | 14.5@2V | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J353F,LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 2A 3-Pin S-Mini T/R
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Von 0,0582 € bis 0,064 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | 20 | 2.2 | 600 | 2 | 150@10V | 3.4@4.5V | 159@15V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH2R506PL,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
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Von 0,5403 € bis 0,5855 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 2.5 | 3000 | 160 | 2.5@10V | 32@4.5V|60@10V | 60 | 4180@30V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK5R1P08QM,RQ
Trans MOSFET N-CH Si 80V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Von 0,5988 € bis 0,6489 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 3.5 | 104000 | 84 | 5.1@10V | 56@10V | 56 | 3980@40V | Tape and Reel | 3 | DPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK8A25DA,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 250V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 250 | ±20 | 30000 | 7.5 | 500@10V | 16@10V | 550@100V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J356R,LF(B
Trans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | P | Single | Enhancement | 1 | 60 | 10 | 2000 | 2 | 300@10V | 8.3@10V | 330@10V | 3 | SOT-23F | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK1P90A,LQ(O MOSFETS SILICON N-CHANNEL MOS ( -MOSIV) |
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Toshiba | MOSFETs | Unknown | Unknown | No | Unknown | Unknown | Unknown | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4116-O(TE85L,F) 0 |
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Toshiba | GP BJT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TRS6E65F,S1Q
Diode Schottky SiC 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Von 1,4086 € bis 1,5264 €
pro Stück
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Toshiba | Gleichrichter | Schottky Diode | SiC | Single | 650 | 6 | 55 | 1.6 | 30 | Tube | 2 | TO-220 | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK20N60W,S1VF(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 165000 | 20 | 155@10V | 48@10V | 48 | 1680@300V | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK200F04N1L,LXGQ
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 3 | 375000 | 200 | 0.9@10V | 214@10V | 214 | 14920@10V | U-MOS VIII-H | Tape and Reel | 3 | TO-220SM(W) | TO | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8205-H,LF(CM
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin PS T/R
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 2.3 | 1480 | 6.5 | 26@10V | 13.8@10V | 13.8 | 830@10V | Tape and Reel | 8 | PS | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TTD1410B,S4X(S
Trans Darlington NPN 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Toshiba | Darlington BJT | NPN | Single | 250 | 1 | 6 | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK3R2E06PL,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 168000 | 100 | 3.2@10V | 35@4.5V|71@10V | 5000@30V | 3 | TO-220 | TO | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J112TU,LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
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Von 0,0731 € bis 0,0804 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.8 | 800 | 1.1 | 390@10V | 86@15V | Tape and Reel | 3 | UFM | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SV279,H3F(B Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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Toshiba | Varaktors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50N324(Q) Silicon N-Channel IGBT |
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Toshiba | IGBT-Chip | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUHS20F40,H3F Diode Small Signal Schottky Si 2A 2-Pin US-H T/R |
Von 0,0812 € bis 0,0893 €
pro Stück
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Toshiba | Gleichrichter | 2 | US-H | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CCS15S30,L3F(B Schottky Barrier Diode |
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Toshiba | Gleichrichter | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUS551V30,H3F(B Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial |
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Toshiba | Gleichrichter | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK8A50D(STA4,X,S)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 500 | ±30 | 40000 | 8 | 850@10V | 16@10V | 800@25V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | EAR99 | No |