Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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2SB1495,Q(J
Trans Darlington PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Darlington BJT | PNP | Single | 100 | 100 | 1 | 3 | 8 | 2@1.5mA@1.5A | 2000 | 2000@2A@2V | 1.5@1.5mA@1.5A | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPC8029(TE12L,Q)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin SOP T/R
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1900 | 18 | 3.8@10V | 49@10V | 49 | 2200@10V | Tape and Reel | 8 | SOP | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK34E10N1,S1X
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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Von 0,6529 € bis 0,7075 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 103000 | 75 | 9.5@10V | 38@10V | 38 | 2600@50V | Magazine | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2507(F)
Trans MOSFET N-CH Si 50V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 50 | ±20 | 30000 | 25 | 46@10V | 25@10V | 25 | 900@10V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS405,H3F
Diode Small Signal Schottky Si 25V 0.05A 2-Pin ESC T/R Automotive AEC-Q101
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Von 0,0271 € bis 0,0295 €
pro Stück
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Toshiba | Gleichrichter | Small Signal Schottky Diode | Si | Single | 25 | 0.05 | 1 | 0.55 | 0.5 | 150 | 3.9(Typ) | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MT3S113P(TE12L,F)
Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Toshiba | HF-BJT | NPN | SiGe | Single | 5.3 | 1 | 0.6 | 0.1 | 5V/50mA | 1600 | 200 to 300 | 200@30mA@5V | 1.65 | 36.7 | 7700(Typ) | 1.45 | Tape and Reel | 4 | PW-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S5566G(Q)
Diode 400V 1A 2-Pin DO-41S
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Toshiba | Gleichrichter | Single | 400 | 1 | 49 | 1.2 | 10 | 2 | DO-41S | DO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT40J121,Q(O Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
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Toshiba | IGBT-Chip | 80 | 3 | TO-3P(N)IS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK5Q60W,S1VQ
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Von 0,8563 € bis 0,9148 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 60000 | 5.4 | 900@10V | 10.5@10V | 10.5 | 380@300V | Tube | 3 | IPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK80A08K3(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 40000 | 80 | 4.5@10V | 175@10V | 175 | 8200@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N35FE,LM
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.18A 6-Pin ES T/R
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Von 0,0474 € bis 0,0517 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Dual | Enhancement | 2 | 20 | ±10 | 150 | 0.18 | 3000@4V | 9.5@3V | 6 | ES | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK5Q65W,S1Q
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
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Von 0,5163 € bis 0,5598 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 3.5 | 60000 | 5.2 | 1220@10V | 10.5@10V | 10.5 | 380@300V | Magazine | 3 | IPAK | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SM16JZ47A
TRIAC 600V 165A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | TRIACs | 1.5 | 600 | 20 | 50 | 1.5@25A | 600 | 0.02 | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CEZ6V8,L3F
Zener Diode Single 6.8V 6% 30Ohm 300mW 2-Pin ESC T/R
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Von 0,0312 € bis 0,034 €
pro Stück
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 6.8 | 6% | 5 | 1.5 | 30 | 300 | 300 | 88(Typ) | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK7A60W,S5VX(J
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 30000 | 7 | 600@10V | 15@10V | 490@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK31N60W5,S1VF
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Von 4,0365 € bis 4,332 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 230000 | 30.8 | 99@10V | 105@10V | 105 | 3000@300V | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2005(F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin TO-92
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Toshiba | Digital-BJT | PNP | Single | 50 | 0.1 | 2.2 | 0.0468 | 400 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | 3 | TO-92 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH4R008NH,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 4 | 2800 | 100 | 4@10V | 59@10V | 59 | 4100@40V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3K14T(TE85L,F)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4A 3-Pin TSM T/R
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1250 | 4 | 39@10V | 5@4V | 460@15V | 31@10V|50@4V|45@4.5V | Tape and Reel | 3 | TSM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SV286(TPH3,F)
Varactor Diode Single 30V 14.5pF 2-Pin ESC T/R
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Toshiba | Varaktors | Tuner | Single | 30 | 0.01 | 7.8 | 2V/20V | 14.5@2V | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZB36(TE12L,Q,M)
Diode Zener Single 36V 10% 1000mW 2-Pin M-FLAT T/R
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 36 | 10% | 9 | 10 | 30 | 1000 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC5066-Y,LF(T
Trans RF BJT NPN 12V 0.03A 100mW 3-Pin SSM T/R
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Toshiba | HF-BJT | NPN | Si | Single | 12 | 20 | 1 | 3 | 0.03 | 5V/10mA | 100 | 120 to 200 | 120@10mA@5V | 0.7 | 17 | 7000(Typ) | 2 | Tape and Reel | 3 | SSM | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6J412TU,LF
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin UF T/R
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Von 0,0812 € bis 0,0886 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single Quad Drain | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 1 | 1000 | 4 | 42.7@4.5V | 12.8@4.5V | 840@10V | Tape and Reel | 6 | UF | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J353F,LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 2A 3-Pin S-Mini T/R
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Von 0,0582 € bis 0,0636 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | 20 | 2.2 | 600 | 2 | 150@10V | 3.4@4.5V | 159@15V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPH2R506PL,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
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Von 0,5395 € bis 0,5846 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 2.5 | 3000 | 160 | 2.5@10V | 32@4.5V|60@10V | 60 | 4180@30V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | No |