Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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TD62503PG(O,J)
Trans Digital BJT NPN 35V 0.2A 1000mW 16-Pin PDIP
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Toshiba | Digital-BJT | NPN | Array 7 | 35 | 0.2 | 2.7 | 0.27 | 1000 | 50@10mA@10V | 0.8@150mA|0.2@10mA | 16 | PDIP | DIP | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK25N60X,S1F
Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Von 2,3884 € bis 2,5825 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.5 | 180000 | 25 | 125@10V | 40@10V | 40 | 2400@300V | Tube | 3 | TO-247 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1GH46(TPA3,Q) Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-41SS T/R |
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Single | 400 | 1 | 1 | 1.1 | 100 | 200 | Tape and Reel | 2 | DO-41SS | DO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TJ9A10M3,S4Q
Trans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 19000 | 9 | 170@10V | 47@10V | 47 | 2900@10V | 120@10V | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6J512NU,LF
Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
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Von 0,0814 € bis 0,0944 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single Quad Drain | Enhancement | 1 | 12 | ±10 | 2500 | 10 | 16.2@8V | 19.5@4.5V | 1400@6V | Tape and Reel | 6 | UDFN-B EP | DFN | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK4207(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 900V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 150000 | 13 | 950@10V | 45@10V | 45 | 2790@25V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS420CT(TPL3)
Diode Small Signal Schottky 35V 0.2A 2-Pin ESC T/R
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Toshiba | Gleichrichter | Small Signal Schottky Diode | Single | 35 | 0.2 | 1 | 0.6 | 5 | 150 | Tape and Reel | 2 | ESC | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK3R2E06PL,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 168000 | 100 | 3.2@10V | 35@4.5V|71@10V | 5000@30V | 3 | TO-220 | TO | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN3300ANH,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 100V 21A 8-Pin TSON Advance T/R
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Von 0,3688 € bis 0,3997 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 1900 | 21 | 33@10V | 11@10V | 11 | 680@50V | Tape and Reel | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2985
Trans MOSFET N-CH Si 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 45000 | 45 | 5.8@10V | 210@10V | 210 | 9300@10V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6J08FU(TE85L,F)
Trans MOSFET P-CH Si 20V 1.3A 6-Pin US T/R
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single Quad Drain | Enhancement | 1 | 20 | ±12 | 300 | 1.3 | 180@4V | 370@10V | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK34E10N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 103000 | 75 | 9.5@10V | 38@10V | 38 | 2600@50V | Magazine | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK110E10PL,S1X
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Von 0,5521 € bis 0,5983 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 87000 | 42 | 10.7@10V | 17@4.5V|33@10V | 2040@50V | Tube | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2110,LF(CT
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
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Von 0,0204 € bis 0,0222 €
pro Stück
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Toshiba | Digital-BJT | PNP | Single | 50 | 0.1 | 4.7 | 100 | 120@1mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 3 | SSM | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J112TU,LF
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
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Von 0,0732 € bis 0,0798 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.8 | 800 | 1.1 | 390@10V | 86@15V | Tape and Reel | 3 | UFM | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50J123,STA1E(S Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
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Toshiba | IGBT-Chip | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SV279,H3F(B Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
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Toshiba | Varaktors | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT50N324(Q) Silicon N-Channel IGBT |
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Toshiba | IGBT-Chip | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8011,LF
Trans MOSFET N-CH Si 40V 5A 8-Pin PS T/R Automotive AEC-Q101
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0,3706 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 3 | 1960 | 5 | 31.8@10V | 11.8@10V | 11.8 | 505@10V | Tape and Reel | 8 | PS | No | Yes | AEC-Q101 | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUHS20F40,H3F Diode Small Signal Schottky Si 2A 2-Pin US-H T/R |
Von 0,0812 € bis 0,0886 €
pro Stück
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Toshiba | Gleichrichter | 2 | US-H | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CCS15S30,L3F(B Schottky Barrier Diode |
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Toshiba | Gleichrichter | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CUS551V30,H3F(B Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial |
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Toshiba | Gleichrichter | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LXHQ(O MOSFET Silicon P-Channel Mos (U-Mos 1 ) |
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Toshiba | MOSFETs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TDTA144E,LM(B Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 320mW |
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Toshiba | Digital-BJT | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK8A50D(STA4,X,S)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 500 | ±30 | 40000 | 8 | 850@10V | 16@10V | 800@25V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | EAR99 | No |