Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Number of Elements per Chip | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (mA) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Peak On-State Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Rated Average On-State Current - (A) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | RMS On-State Current - (A) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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TD62604PG(5,J)
Threshold Free Driver 16-Pin PDIP
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Toshiba | Diskrete, Verschiedenes | Threshold Free Driver | 16 | PDIP | DIP | No | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TD62706FG(5)
Trans Darlington NPN/PNP 60V 0.05A 625mW 16-Pin SOP
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Toshiba | Darlington BJT | NPN|PNP | Hex | 60 | 6 | 0.05 | 625 | 22.5@40mA | 0.13um | 16 | SOP | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TD62M4501FG
Trans GP BJT NPN 20V 2A 490mW 16-Pin SSOP
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Quad | 20 | 4 | 20 | 8 | 2 | 50 to 120|120 to 200 | 140@0.5A@2V|70@2A@2V | 490 | 0.25@25mA@1A|0.5@50mA@2A | 16 | SSOP | SO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TJ70A06J3(Q)
Trans MOSFET P-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 70 | 8@10V | 246@10V | 54000 | 9810@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK11A45D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 450V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 450 | ±30 | 11 | 620@10V | 20@10V | 20 | 40000 | 1050@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ9A10M3,S5Q(J) Trans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 9 | 170@10V | 47@10V | 19000 | 2900@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK11A60D,S5Q(J Trans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 11 | 650@10V | 28@10V | 45000 | 1550@25V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK12A60D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 12 | 550@10V | 38@10V | 38 | 45000 | 1800@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK12A10K3(Q)
Silicon N Channel MOSFET
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Toshiba | MOSFETs | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK12A10K3(STA4,Q,M Bipolar Small-Signal Transistors |
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Toshiba | GP BJT | 3 | TO-220SIS | TO | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK12J55D(F)
Trans MOSFET N-CH Si 550V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 550 | ±30 | 12 | 570@10V | 28@10V | 28 | 190000 | 1550@25V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK13A65D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 13 | 470@10V | 45@10V | 50000 | 2600@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK12A55D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 550V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 550 | ±30 | 12 | 570@10V | 28@10V | 28 | 45000 | 1550@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK13A65U(STA4,A,Q) Trans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 13 | 380@10V | 17@10V | 40000 | 950@10V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK17J65U(STA1,F)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 17 | 260@10V | 27@10V | 190000 | 1450@100V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK17A65U,S5Q(J Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 17 | 260@10V | 27@10V | 45000 | 1450@100V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK19J55D(F)
Trans MOSFET N-CH 550V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | N | Single | Enhancement | 1 | 550 | ±30 | 19 | 330@10V | 45@10V | 45 | 280000 | 2600@25V | Bag|Tube | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK2A65D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 4.4 | 2 | 3260@10V | 9@10V | 9 | 30000 | 380@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK40M60U(F) Silicon N Channel MOSFET |
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Toshiba | MOSFETs | 3 | TO-3P(N)IS | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK50A04K3,S5Q(J Trans MOSFET N-CH Si 40V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 50 | 3.5@10V | 102@10V | 42000 | 4500@10V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK5A50D,S5Q(J)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 500 | ±30 | 5 | 1500@10V | 11@10V | 35000 | 490@25V | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8201(BRA,F)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.2A 8-Pin PS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 2.5 | 4.2 | 50@10V | 10@10V | 10 | 1480 | 470@10V | 8 | PS | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U05GH44(TE12L,Q) Diode Switching 400V 0.5A 2-Pin I-FLAT T/R |
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Single | 400 | 0.5 | 20 | 1.2 | 10 | 1500 | Tape and Reel | 2 | I-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U05JH44(TE12L,Q) Diode Switching 600V 0.5A 2-Pin I-FLAT T/R |
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Single | 600 | 0.5 | 20 | 1.2 | 10 | 1500 | Tape and Reel | 2 | I-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
U10FWJ2C48M(Q)
Diode Schottky 30V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM
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Toshiba | Gleichrichter | Schottky Diode | Dual Common Cathode | 30 | 10 | 110 | 0.47@5A | 3500 | 3 | TO-220SM | TO | No | No | No | No | No | EAR99 |