Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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2SC5027(F)
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 1300mW 3-Pin TPS
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 300 | 300 | 1 | 7 | 1@1mA@10mA | 0.1 | 1300 | 2 to 30|30 to 50 | 20@4mA@10V|30@20mA@10V | 1@1mA@10mA | 3 | TPS | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
10GL2CZ47A(F)
Diode Switching 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Dual Common Cathode | 400 | 10 | 55 | 1.8@5A | 50 | 35 | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD2079,Q(J
Trans Darlington NPN 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Darlington BJT | NPN | Single | 100 | 100 | 1 | 5 | 7 | 2.5@6mA@3A | 2000 | 1000@5A@3V|2000@3A@3V | 1.5@6mA@3A | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA965-O,F(J Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 900mW 3-Pin TO-92 Mod |
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Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 120 | 120 | 1 | 5 | 0.8 | 900 | 50 to 120 | 80@100mA@5V | 1@50mA@500mA | 3 | TO-92 Mod | TO | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2789(TE24L,Q) Trans MOSFET N-CH Si 100V 27A 3-Pin(3+Tab) T/R |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 60000 | 27 | 85@10V | 50@10V | 50 | 1100@10V | Tape and Reel | 3 | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10JL2CZ47A(F)
Diode Switching 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Dual Common Cathode | 600 | 10 | 40 | 4@5A | 50 | 35 | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1Z68(TPA2,Q)
Zener Diode Single 68V 10% 120Ohm 1000mW 2-Pin DO-15 T/R
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 68 | 10% | 4 | 1.2 | 10 | 120 | 1000 | 1000 | Tape and Reel | 2 | DO-15 | DO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ60S04M3L,LXHQ(O Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 40 | 10 | 90000 | 60 | 6.3@10V | 125@10V | 6510@10V | 3 | DPAK+ | TO | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK13J65U(F)
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 170000 | 13 | 380@10V | 17@10V | 17 | 950@10V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SA2061(BRA,F)
Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 625mW 3-Pin TSM
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Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Power | Si | Single | 20 | 20 | 1 | 7 | 1.1@53mA@1.6A | 2.5 | 625 | 50 to 120|120 to 200|200 to 300 | 200@0.5A@2V|100@1.6A@2V | 0.19@53mA@1.6A | 3 | TSM | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBS10S40,L3F
Diode Small Signal Schottky 40V 1A 2-Pin CST-B T/R
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Von 0,0541 € bis 0,0595 €
pro Stück
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Toshiba | Gleichrichter | 2 | CST-B | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC4116-GR,LF(B
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 100mW 3-Pin USM
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Single | 50 | 60 | 1 | 5 | 0.15 | 100 | 200 to 300 | 200@2mA@6V | 0.25@10mA@100mA | 80 | 3 | USM | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MKZ16V,LM
Zener Diode Silicon Epitaxial Planar
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Von 0,0176 € bis 0,0193 €
pro Stück
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Toshiba | Zener | 3 | SOT-23 | SOT | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK20J60W,S1VQ(O
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 165000 | 20 | 155@10V | 48@10V | 48 | 1680@300V | Tube | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MKZ6V8,LM
Zener Diode Silicon Epitaxial Planar
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Von 0,019 € bis 0,0209 €
pro Stück
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Toshiba | Zener | 3 | SOT-23 | SOT | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN1608(TE85L,F)
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin SM T/R
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Toshiba | Digital-BJT | NPN | Dual | 50 | 0.1 | 22 | 0.468 | 300 | 80@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 6 | SM | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS417CT(TPL3)
Diode Small Signal Schottky 45V 0.1A 2-Pin CST T/R
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Toshiba | Gleichrichter | Small Signal Schottky Diode | Single | 45 | 0.1 | 1 | 0.62 | 5 | 100 | Tape and Reel | 2 | CST | SOD | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J133TU,LF(B
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 20 | ±8 | 1000 | 5.5 | 29.8@4.5V | 12.8@4.5V | 840@10V | Tape and Reel | 3 | UFM | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2401(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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Toshiba | Digital-BJT | PNP | Single | 50 | 0.1 | 4.7 | 1 | 200 | 30 to 50 | 30@10mA@5V | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U1GWJ44(N,TE12L,Q) Diode Schottky 40V 1A 2-Pin I-FLAT T/R |
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Toshiba | Gleichrichter | Schottky Diode | Single | 40 | 1 | 27 | 0.55 | 500 | 35 | Tape and Reel | 2 | I-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRS12(TE85L,Q)
Diode Schottky 60V 1A 2-Pin S-FLAT T/R
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Toshiba | Gleichrichter | Schottky Diode | Single | 60 | 1@Ta=73C | 20 | 0.58 | 100 | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD2257,Q(J
Trans Darlington NPN 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Darlington BJT | NPN | Single | 100 | 100 | 1 | 3 | 8 | 2@1.5mA@1.5A | 2000 | 2000@1A@2V|2000@2A@2V | 1.5@1.5mA@1.5A | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U1JC44(TE12L,Q) Diode 600V 0.9A 2-Pin I-FLAT T/R |
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Toshiba | Gleichrichter | Single | 600 | 0.9 | 33 | 1.2@1A | 10 | Tape and Reel | 2 | I-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPH14006NH,L1Q
Trans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
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Von 0,3786 € bis 0,4102 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 4 | 32000 | 34 | 14@10V | 16@10V | 16 | 1000@30V | 11@10V|14@6.5V | Tape and Reel | 8 | SOP Advance | SO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK20A60W5,S5VX(M
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 45000 | 20 | 175@10V | 55@10V | 55 | 1800@300V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No |