Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Number of Elements per Chip | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Continuous Forward Current - (mA) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Peak On-State Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Rated Average On-State Current - (A) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | RMS On-State Current - (A) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Input Capacitance - (pF) | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Maximum Output Power - (W) | Typical Power Gain - (dB) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Maximum Turn-On Time - (ns) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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| 1S1588 Diode Switching 35V 0.12A 2-Pin DO-35 |
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Single | 35 | 0.12 | 0.5 | 1.3@100mA | 0.5 | 4 | 2 | DO-35 | DO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SJ377
Trans MOSFET P-CH Si 60V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 2 | 5 | 190@10V | 22@10V | 22 | 20000 | 630@10V | 3 | New PW-Mold | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK3799(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 900 | ±30 | 8 | 1300@10V | 60@10V | 60 | 50000 | 2200@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK125V65Z,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 650V 24A 5-Pin DFN EP T/R
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Von 2,4766 € bis 2,6839 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 24 | 125@10V | 40@10V | 190000 | 2250@300V | Tape and Reel | 5 | DFN EP | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SA1953-A(TE85L,F)
Trans GP BJT PNP 12V 0.5A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
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Toshiba | GP BJT | PNP | Bipolar Small Signal | Si | Single | 12 | 1 | 15 | 5 | 1.2@10mA@200mA | 0.5 | 300 to 500 | 300@10mA@2V | 150 | 0.03@0.5mA@10mA|0.25@10mA@200mA | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SSM3K7002BF,LF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 3.1 | 0.2 | 2100@10V | 200 | 17@25V | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK155E65Z,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 18 | 155@10V | 29@10V | 150000 | 1635@300V | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC2347(F)
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANER TYPE
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Toshiba | HF-BJT | 3 | TO-92 | TO | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5JLZ47(F)
Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Single | 600 | 5 | 60 | 2 | 50 | 50 | 2 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM6N7002CFU,LF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.17A 6-Pin US T/R
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Von 0,027 € bis 0,0297 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | N | Dual | Enhancement | 2 | 60 | ±20 | 2.1 | 0.17 | 3900@10V | 0.27@4.5V | 285 | 11@10V | Tape and Reel | 6 | US | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ12(TE12L,Q)
Zener Diode Single 12V 10% 30Ohm 2000mW 2-Pin M-FLAT T/R
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 12 | 10% | 10 | 10 | 30 | 2000 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK25S06N1L,LQ
Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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Von 0,3385 € bis 0,367 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 2.5 | 25 | 18.5@10V | 15@10V | 15 | 57000 | 855@10V | Tape and Reel | 3 | DPAK+ | TO | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK372-BL(F) Trans JFET N-CH 30mA Si 3-Pin |
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Toshiba | JFETs | Si | N | Single | -40 | 30 | 20000(Typ) | 75 | 200 | 3 | No | No | No | No | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305(F)
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin S-Mini
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 0.2 | 4000@2.5V | 200 | 92@3V | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK365-GR(F) Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin |
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Toshiba | JFETs | Si | N | Single | -50 | -1.5 | 6.5 | 80000(Typ) | 13 | 200 | 3 | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK430A60F,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 13 | 430@10V | 48@10V | 45000 | 1940@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK12V60W,LVQ
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 5-Pin DFN EP
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Von 1,1099 € bis 1,2029 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Triple Source | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 11.5 | 300@10V | 25@10V | 25 | 104000 | 890@300V | 5 | DFN EP | DFN | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RN2106(TE85L,F)
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R Automotive AEC-Q101
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Toshiba | Digital-BJT | PNP | Single | 50 | 4.7 | 0.1 | 0.1 | 80@10mA@5V | 100 | 0.3@0.25mA@5mA | Tape and Reel | 3 | SSM | No | No | Yes | AEC-Q101 | Yes | Unknown | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK1K2A60F,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 6 | 1200@10V | 21@10V | 35000 | 740@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK19A50W,S5X(M
Trans MOSFET N-CH Si 500V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 500 | ±30 | 18.5 | 190@10V | 38@10V | 40000 | 1350@300V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK11A50D(STA4,Q,M)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 500 | ±30 | 11 | 600@10V | 24@10V | 24 | 45000 | 1200@25V | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1SS187,LF(B
Diode Switching Si 85V 0.1A 3-Pin S-Mini
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Si | Single | 85 | 0.1 | 2 | 1.2 | 0.5 | 4 | 4 | 150 | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC3225(TPE6,F)
Trans GP BJT NPN 40V 2A 900mW 3-Pin TO-92 Mod T/R
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 40 | 1 | 40 | 7 | 1.1@1mA@300mA | 2 | 500 to 3600 | 500@400mA@1V | 900 | 0.5@1mA@300mA | Tape and Reel | 3 | TO-92 Mod | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CMZ15(TE12L,Q)
Zener Diode Single 15V 10% 30Ohm 2000mW 2-Pin M-FLAT T/R
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 15 | 10% | 10 | 10 | 30 | 2000 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPN3R704PL,L1Q(M
Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin TSON Advance
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single Quad Drain Triple Source | Enhancement | 1 | 40 | ±20 | 92 | 3.7@10V | 13.3@4.5V|27@10V | 27 | 2670 | 1910@20V | 8 | TSON Advance | SON | No | No | No | No | No | EAR99 | No |