| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 4 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 1000 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 42.7@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 12.8@4.5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 840@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1000 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.7 mm |
| Verpackungsbreite | 1.7 mm |
| Verpackungslänge | 2 mm |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Lieferantenverpackung | UF |
| Stiftanzahl | 6 |
