| RoHS EU | Compliant |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Triple Drain Dual Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | N |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 12 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | ±8 |
| Max. Gate-Schwellwertspannung (V) | 1 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7 |
| Max. Gate-Source-Leckstrom (nA) | 100 |
| Max. Drain-Abschaltstrom (IDSS) (uA) | 1 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 18@4.5V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 5.4@4.5V |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 600@6V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 2900 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -50 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 0.3 mm |
| Verpackungsbreite | 1 mm |
| Verpackungslänge | 1.5 mm |
| Leiterplatte geändert | 6 |
| Standard-Verpackungsname | CSP |
| Lieferantenverpackung | WCSP-C |
| Stiftanzahl | 6 |
