| RoHS EU | Compliant with Exemption |
| ECCN (USA) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Automotive | No |
| PPAP | No |
| Kategorie | Power MOSFET |
| Material | Si |
| Konfiguration | Single Quad Drain Triple Source |
| Kanalmodus | Enhancement |
| Kanalart | P |
| Anzahl von Elementen pro Chip | 1 |
| Max. Drain-Source-Spannung (V) | 40 |
| Max. Gate-Source-Spannung (V) | 20 |
| Max. Dauer-Drain-Strom (A) | 7 |
| Max. Drain-Source-Widerstand (mOhm) | 25@10V |
| Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC) | 34@10V |
| Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC) | 34 |
| Typische Eingangskapazität bei Vds (pF) | 1580@10V |
| Max. Leistungsaufnahme (mW) | 1900 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 46 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 8 |
| Mindestbetriebstemperatur (°C) | -55 |
| Max. Betriebstemperatur (°C) | 150 |
| Verpackung | Tape and Reel |
| Befestigung | Surface Mount |
| Verpackungshöhe | 1.52 |
| Verpackungsbreite | 3.9 |
| Verpackungslänge | 4.9 |
| Leiterplatte geändert | 8 |
| Standard-Verpackungsname | SO |
| Lieferantenverpackung | SOP |
| Stiftanzahl | 8 |
| Leitungsform | Gull-wing |
