Cypress Semiconductor Corp. hat ein nichtflüchtiges Speicherelement mit 4 Mbit vorgestellt, das einen ferroelektrischen Prozess verwendet, um anders als serielles Flash und EEPROM bei Bus-Geschwindigkeit zu schreiben.
Das neue CY15B104Q von Cypress bietet Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) – ein nichtflüchtiger Speicher, der beim Lesen und Schreiben mit RAM vergleichbar ist. Es bietet außerdem verlässliche Datenspeicherung für mehr als 150 Jahre ohne die komplexen Overhead- und systemischen Verlässlichkeitsprobleme bei seriellem Flash, EEPROM und anderen nichtflüchtigen Speicherelementen.
Der funktionale Betrieb von FRAM ähnelt dem seriellen Flash und seriellem EEPROM in Hinsicht auf Pinbelegung, unterscheidet sich jedoch durch die überlegene Schreibleistung, hohe Belastbarkeit und den niedrigen Energieverbrauch.
Da CY15B104Q Schreibprozesse in Bus-Geschwindigkeit leistet (anders als serieller Flash und EEPROM) kommt es beim Schreiben nicht zu Verzögerungen. Die Daten werden umgehend nach dem erfolgreichen Datentransfer an das Gerät auf den Speicher geschrieben. Der nächste Bus-Zyklus kann ohne Datenpolling beginnen. Anders als bei seriellem Flash und EEPROM ist ein Polling des Geräts zur Bereitstellung nicht erforderlich, da das Schreiben in Bus-Geschwindigkeit stattfindet. Zu dem Zeitpunkt, an dem eine neue Bus-Übertragung stattfinden kann, ist der Schreibprozess bereits abgeschlossen.
Des Weiteren bietet das CY15B104Q von Cypress eine hohe Schreibbeständigkeit im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichen und unterstützt 1014 Lese-/Schreibzyklen oder 100 Millionen mehr Schreibzyklen als EEPROM. Diese Funktionen machen das CY15B104Q ideal für nichtflüchtige Speicheranwendungen, die häufige oder schnelle Schreibvorgänge erfordern wie Datensammlung – bei der die Zahl der Schreibzyklen ausschlaggebend ist – oder anspruchsvolle industrielle Steuerungen – bei denen es durch die lange Schreibzeit bei seriellem Flash oder EEPROM zu Datenverlust kommen kann.
Das CY15B104Q bietet substantielle Vorteile als Hardwareersatz. Das CY15B104Q verwendet den SPI Hochgeschwindigkeitsbus (Serial Peripheral Interact), der die Hochgeschwindigkeitsschreibleistung der FRAM-Technologie unterstützt und verfügt über eine schreibgeschützte Geräte-ID, die dem Host die Bestimmung des Herstellers, der Produktdichte und der Produktüberarbeitung ermöglicht.
Die Gerätespezifikationen sind innerhalb eines Temperaturbereichs von -40°C bis +85°C garantiert. „Cypress” Speicherelemente sind in zwei Paketen verfügbar: 8-Pin integrierte Schaltungen mit kompakten Maßen und 8-Pin Dual-Flat No-Leads.
Zu den vielfältigen Funktionen des CY15B104Q Speichers gehört:
• Sehr schnelle SPI (Serial Peripheral Interface) mit bis zu 40 MHz
• Ausgeklügelter Schreibschutz
• Niedriger Stromverbrauch
• Niedrige Betriebsspannung