Toshiba Diodes, Transistors and Thyristors
| Teile-Nr. | Preis | Bestand | Hersteller | Kategorie | Type | Maximum Rate of Rise of Off-State Voltage - (V/us) | Category | Maximum Rate of Rise of On-State Current - (A/us) | Material | Frequency Band | Channel Type | Maximum Gate Trigger Voltage - (V) | Configuration | Channel Mode | Typical Zener Voltage - (V) | Repetitive Peak Reverse Voltage - (V) | Peak Reverse Repetitive Voltage - (V) | Maximum Reverse Voltage - (V) | Maximum Gate Trigger Current - (mA) | Maximum Gate Emitter Voltage - (V) | Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) | Zener Voltage Tolerance | Surge Current Rating - (A) | Maximum Reverse Current - (uA) | Maximum Continuous Forward Current - (A) | Maximum Collector-Base Voltage - (V) | Number of Elements per Chip | Minimum Tuning Ratio | Maximum Holding Current - (mA) | Maximum Drain-Gate Voltage - (V) | Maximum Continuous DC Collector Current - (A) | Maximum Base-Emitter Voltage - (V) | Typical Input Resistance - (kOhm) | Tuning Ratio Test Condition | Test Current - (mA) | Peak Non-Repetitive Forward Surge Current - (A) | Maximum Series Resistance @ Maximum IF - (Ohm) | Maximum Forward Voltage - (V) | Maximum Drain-Source Voltage - (V) | Maximum Base-Emitter Saturation Voltage - (V) | Typical Resistor Ratio | Peak Reverse Current - (uA) | Maximum Reverse Leakage Current - (uA) | Maximum Gate-Source Voltage - (V) | Maximum DC Collector Current - (A) | Peak On-State Voltage - (V) | Operational Bias Conditions | Minimum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | Maximum Gate Peak Inverse Voltage - (V) | Maximum Zener Impedance - (Ohm) | Maximum Power Dissipation - (mW) | Maximum Power Dissipation @ 25C - (mW) | Maximum Diode Capacitance - (pF) | Maximum Continuous Drain Current - (A) | RMS On-State Current - (A) | Repetitive Peak Forward Blocking Voltage - (V) | Rated Average On-State Current - (A) | Peak Reverse Recovery Time - (ns) | Minimum DC Current Gain Range | Minimum DC Current Gain | Maximum Drain-Source Resistance - (mOhm) | Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | Repetitive Peak Off-State Current - (mA) | Maximum Junction Case Thermal Resistance | Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | Typical Output Capacitance - (pF) | Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | Typical Power Gain - (dB) | Maximum Output Power - (W) | Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage - (V) | Maximum Frequency - (MHz) | Typical 3rd Order Intercept Point - (dBm) | Maximum Transition Frequency - (MHz) | Maximum Noise Figure - (dB) | Typical Drain-Source Resistance @ 25°C - (mOhm) | Process Technology | Packaging | Pin Count | Supplier Package | Standard Package Name | CECC Qualified | ESD Protection | Military | AEC Qualified | AEC Qualified Number | Auto motive | P PAP | ECCN Code | SVHC | SVHC Exceeds Threshold |
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| RN1241-B(F) Trans Digital BJT NPN 20V 0.3A 300mW 3-Pin |
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Toshiba | Digital-BJT | NPN | Single | 20 | 0.3 | 5.6 | 300 | 350@4mA@2V | 0.1@3mA@30mA | 3 | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK4022(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 250V 3A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold2
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 250 | ±20 | 20000 | 3 | 1700@10V | 12@10V | 12 | 267@10V | 3 | PW-Mold2 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-Y,F(J Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 900mW 3-Pin TO-92 Mod |
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Small Signal | Si | Single | 120 | 120 | 1 | 5 | 0.8 | 900 | 120 to 200 | 120@100mA@5V | 1@50mA@500mA | 3 | TO-92 Mod | TO | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1SS396,LF(B
Diode Small Signal Schottky 45V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
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Toshiba | Gleichrichter | Small Signal Schottky Diode | Dual Series | 45 | 0.1 | 1 | 0.6 | 5@40V | 150 | 25 | Tape and Reel | 3 | S-Mini | SOT | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U1ZB30(TE12L,Q) Zener Diode Single 30V 10% 30Ohm 1000mW 2-Pin I-FLAT T/R |
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 30 | 10% | 10 | 10 | 30 | 1000 | 1000 | Tape and Reel | 2 | I-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK14G65W,RQ
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 130000 | 13.7 | 250@10V | 35@10V | 35 | 1300@300V | Tape and Reel | 3 | D2PAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1225(F) Trans Digital BJT NPN 50V 0.8A 300mW 3-Pin |
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Toshiba | Digital-BJT | NPN | Single | 50 | 0.8 | 0.47 | 0.047 | 300 | 90@100mA@5V | 0.25@1mA@50mA | 3 | No | No | No | No | No | EAR99 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5JUZ47(F)
Diode Switching 600V 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Single | 600 | 5 | 60 | 1.5 | 100 | 100 | 2 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK39J60W5,S1VQ(O
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 4.5 | 270000 | 38.8 | 74@10V | 135@10V | 135 | 4100@300V | 3 | TO-3PN | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK14A65W,S5X
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Von 1,1629 € bis 1,2421 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 3.5 | 40000 | 13.7 | 250@10V | 35@10V | 35 | 1300@300V | Tube | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TB62004PG
8-Channel DMOS Transistor Array with Gate 20-Pin PDIP
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Toshiba | Diskrete, Verschiedenes | 8-Channel DMOS Transistor Array with Gate | 0.13um | 20 | PDIP | DIP | No | No | No | No | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1Z24(TPA2,Q)
Zener Diode Single 24V 10% 30Ohm 1000mW 2-Pin DO-15 T/R
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 24 | 10% | 10 | 1.2 | 10 | 30 | 1000 | 1000 | Tape and Reel | 2 | DO-15 | DO | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SC6000(TE16L1,NQ)
Trans GP BJT NPN 50V 7A 20000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 50 | 120 | 1 | 6 | 1.1@83mA@2.5A | 7 | 20000 | 120 to 200|200 to 300 | 160@1mA@2V|250@2.5A@2V | 0.18@83mA@2.5A | Tape and Reel | 3 | New PW-Mold | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TRS4A65F,S1Q(S2 Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220F |
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Toshiba | Gleichrichter | 2 | TO-220F | TO | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SD1411A-O(F)
Trans GP BJT NPN 80V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
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Toshiba | GP BJT | NPN | Bipolar Power | Si | Single | 80 | 100 | 1 | 5 | 1.4@0.4A@4A | 7 | 2000 | 50 to 120 | 70@1A@1V | 0.5@0.4A@4A | 3 | TO-220NIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK60D08J1(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 140000 | 60 | 7.8@10V | 86@10V | 86 | 5450@10V | 3 | TO-220 | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TPCP8201(BRA,F)
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.2A 8-Pin PS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Dual Dual Drain | Enhancement | 2 | 30 | ±20 | 2.5 | 1480 | 4.2 | 50@10V | 10@10V | 10 | 470@10V | 8 | PS | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CRZ11(TE85L,Q)
Zener Diode Single 11V 10% 30Ohm 700mW 2-Pin S-FLAT T/R
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Toshiba | Zener | Voltage Regulator | Single | 11 | 10% | 10 | 10 | 30 | 700 | 700 | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | Unknown | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CRS02(TE85L,Q)
Diode Schottky 30V 1A 2-Pin S-FLAT T/R
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Toshiba | Gleichrichter | Schottky Diode | Single | 30 | 1@Ta=66C | 20 | 0.4@0.7A | 50 | 140°C/W | Tape and Reel | 2 | S-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TK6Q60W,S1VQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 3.7 | 60000 | 6.2 | 820@10V | 12@10V | 12 | 390@300V | Tube | 3 | IPAK | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2401(Q) Trans MOSFET N-CH Si 200V 15A 3-Pin(3+Tab) |
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 200 | ±20 | 75000 | 15 | 180@10V | 40@10V | 40 | 2000@10V | 3 | No | No | No | No | No | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMF01(TE12L,Q,M)
Diode Switching Si 600V 2A 2-Pin M-FLAT T/R
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Toshiba | Gleichrichter | Switching Diode | Si | Single | 600 | 2 | 30 | 2 | 50 | 100 | Tape and Reel | 2 | M-FLAT | No | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSM3J15CT,L3F
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin CST T/R
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Von 0,0512 € bis 0,052 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Small Signal | Si | P | Single | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 1.7 | 100 | 0.1 | 12000@4V | 9.1@3V | 8000@4V|14000@2.5V | Tape and Reel | 3 | CST | No | No | No | No | EAR99 | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK380A60Y,S4X(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 30000 | 9.7 | 380@10V | 20@10V | 590@300V | 3 | TO-220SIS | TO | EAR99 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TK9A65W,S5X
Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Von 0,8221 € bis 0,8782 €
pro Stück
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Toshiba | MOSFETs | Power MOSFET | Si | N | Single | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 30000 | 9.3 | 500@10V | 20@10V | 20 | 700@300V | Magazine | 3 | TO-220SIS | TO | No | No | No | No | No | EAR99 | No |