Der ADGM1121 verfügt über einen integrierten Treiberchip, der hohe Spannung erzeugt, um einen Schalter elektrostatisch zu betätigen, der über eine parallele Schnittstelle oder eine serielle Peripherieschnittstelle (SPI) gesteuert werden kann. Alle Schalter sind unabhängig voneinander steuerbar.
Das Gerät befindet sich in einem LGA-Gehäuse (5 mm × 4 mm × 1 mm). Beachten Sie für den optimalen Betrieb des ADGM1121 den Abschnitt „Critical Operational Requirements“ im Datenblatt.
Der Einschaltwiderstand (RON) des ADGM1121 wird durch teilespezifische Variationen, kanalspezifische Variationen, Betätigungen, Einschwingzeit nach dem Einschalten, Vorspannung und Temperaturänderungen beeinflusst.
Wichtigste Eigenschaften und Vorteile
- DC bis 18-GHz-Frequenzbereich
- Hohe Bitraten bis zu 64 Gbit/s
- Niedrige Einfügungsdämpfung
- 0,5 dB typisch bei 8 GHz
- 1,0 dB typisch bei 16 GHz
- Hoher Eingang, IIP3: 73 dBm (typisch)
- Hohe RF-Belastbarkeit: 33 dBm (maximal)
- Einschaltwiderstand: 1,9 Ω (typisch)
- Verarbeitung hoher Gleichströme: 200 mA
- Hohe Anzahl von Schaltzyklen: 100 Millionen Zyklen (Minimum)
- Schnelle Schaltzeit: 200 μs TON (typisch)
- Integrierter 3,3-V-Treiber zur einfachen Ansteuerung mit paralleler Schnittstelle und SPI
- Platzsparende integrierte Passivbauweise inklusive Entkopplungs- und Shunt-Widerständen
- Kleines Kunststoffgehäuse, 5 mm × 4 mm × 1 mm, 24-polig
- Temperaturbereich: −40 °C bis +85 °C
Anwendungen
- ATE-Lade- und Prüfplatinen
- DC mit Hochgeschwindigkeits-Loopback-Test
- Hochgeschwindigkeits-SerDes, PICe Gen4/5, USB4, PAM4
- Relaisaustausch
- Rekonfigurierbare Filter/Dämpfungsglieder
- Militär- und Mikrowellenfunk
- Zelluläre Infrastruktur: 5G-Millimeterwelle
Evaluierungsplatine
Der ADGM1121 kann mit der dem EVAL-ADGM1121 evaluiert werden.
Blockdiagramme und Tabellen
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